HBM4E चिप के साथ Nvidia ने Samsung के साथ सहयोग पर ध्यान केंद्रित किया

Seoul सियोल : Samsung Electronics ने Nvidia द्वारा आयोजित एक सालाना टेक्नोलॉजी कॉन्फ्रेंस के दौरान अपनी सातवीं पीढ़ी की हाई बैंडविड्थ मेमोरी (HBM), जिसका नाम HBM4E है, पेश की। इस मौके पर अमेरिकी टेक दिग्गज ने कोरियाई चिप बनाने वाली कंपनी के साथ मेमोरी चिप्स से आगे बढ़कर अपनी बढ़ती साझेदारी पर भी रोशनी डाली।

Yonhap समाचार एजेंसी की रिपोर्ट के अनुसार, Samsung Electronics ने अपने HBM4E प्रोडक्ट्स के विकास पर अपडेट दिए और Nvidia के Vera Rubin AI प्लेटफॉर्म के लिए एक संपूर्ण मेमोरी समाधान प्रदाता के तौर पर अपनी क्षमताओं का प्रदर्शन किया। यह सब Nvidia GTC 2026 के दौरान हुआ, जो सोमवार (अमेरिकी समय के अनुसार) को कैलिफ़ोर्निया में चार दिनों के लिए शुरू हुआ।

यह पहली बार था जब Samsung Electronics ने अपनी HBM4E चिप का भौतिक रूप पेश किया। उम्मीद है कि यह चिप प्रति पिन 16 गीगाबिट्स प्रति सेकंड की गति और 4.0 टेराबाइट्स प्रति सेकंड की बैंडविड्थ को सपोर्ट करेगी।

इसका प्रदर्शन HBM4 से बेहतर है, जिसकी गति प्रति पिन 13 गीगाबिट्स प्रति सेकंड और बैंडविड्थ 3.3 टेराबाइट्स प्रति सेकंड है।

अपने मुख्य भाषण के दौरान, Nvidia के CEO Jensen Huang ने Samsung Electronics का आभार व्यक्त किया। उन्होंने Groq 3 लैंग्वेज प्रोसेसिंग यूनिट (LPU) के उत्पादन के लिए कंपनी की सराहना की; इस यूनिट का उपयोग Nvidia के AI प्लेटफॉर्म के प्रदर्शन को बेहतर बनाने के लिए किया जाएगा।

CEO ने कहा, "मैं Samsung का धन्यवाद करना चाहता हूँ, जो हमारे लिए Groq 3 LPU चिप बनाती है, और वे पूरी लगन से इस काम में जुटे हुए हैं। मैं आप लोगों की सचमुच सराहना करता हूँ।" उन्होंने इस बात की भी पुष्टि की कि Samsung Electronics का फाउंड्री डिवीज़न ही इस चिप का निर्माण करता है।

Huang की इस टिप्पणी से यह संकेत मिलता है कि Samsung Electronics और Nvidia ने AI क्षेत्र में अपने सहयोग का विस्तार किया है, जिसमें अब फाउंड्री (यानी चिप के अनुबंध पर निर्माण का) व्यवसाय भी शामिल हो गया है।

पिछले महीने, Samsung Electronics ने अपनी छठी पीढ़ी की HBM, जिसे HBM4 भी कहा जाता है, की पहली व्यावसायिक खेप भेजना शुरू किया। इस चिप को विशेष रूप से Nvidia के Vera Rubin प्लेटफॉर्म के लिए डिज़ाइन किया गया है, और चिप बनाने वाली कंपनी का दावा है कि यह AI कंप्यूटिंग के लिए "बेजोड़ प्रदर्शन" प्रदान करती है।

Samsung Electronics ने 'हाइब्रिड कॉपर बॉन्डिंग' (HCB) तकनीक भी पेश की। यह तकनीक 16 से अधिक परतों को एक के ऊपर एक (स्टैक) करने में सक्षम है, और साथ ही यह 'थर्मल कम्प्रेशन बॉन्डिंग' (TCB) की तुलना में थर्मल प्रतिरोध को 20 प्रतिशत तक कम कर देती है। इस तकनीक के माध्यम से कंपनी ने अगली पीढ़ी की HBM के लिए अपनी पैकेजिंग क्षमताओं को भी उजागर किया है। "AI इंडस्ट्री में इनोवेशन के लिए, Vera Rubin प्लेटफॉर्म जैसा एक मज़बूत AI सिस्टम ज़रूरी है," दक्षिण कोरियाई टेक दिग्गज ने कहा।

"Samsung Electronics Vera Rubin प्लेटफॉर्म को सपोर्ट करने वाले हाई-परफॉर्मेंस मेमोरी सॉल्यूशन की सप्लाई जारी रखने की योजना बना रही है," उसने आगे कहा।

चिप बनाने वाली कंपनी ने आगे कहा कि दोनों कंपनियाँ इस तरह के संबंधों के दम पर ग्लोबल AI इंफ्रास्ट्रक्चर के तरीके में बदलाव लाने का इरादा रखती हैं।

इवेंट के दौरान, Samsung Electronics ने एक एग्ज़िबिशन बूथ लगाया जिसमें तीन ज़ोन थे -- AI Factories, Local AI और Physical AI -- और इसमें कंपनी ने अपनी अगली पीढ़ी की चिप्स पेश कीं जो AI इंडस्ट्री की माँग को पूरा करती हैं।