सिलिकॉन कार्बाइड वेफर्स का स्वदेशी विकास, GaN HEMT
Visakhapatnam विशाखापत्तनम: डीआरडीओ की एक प्रयोगशाला सॉलिड स्टेट फिजिक्स लेबोरेटरी (एसएसपीएल) ने चार इंच व्यास वाले सिलिकॉन कार्बाइड (SiC) वेफर्स को उगाने और बनाने तथा 150W तक के गैलियम नाइट्राइड (GaN) हाई इलेक्ट्रॉन मोबिलिटी ट्रांजिस्टर (HEMT) बनाने के लिए स्वदेशी प्रक्रियाओं को सफलतापूर्वक विकसित किया है। इसके साथ ही, एसएसपीएल ने एक्स-बैंड आवृत्तियों तक के अनुप्रयोगों के लिए 40W तक के मोनोलिथिक माइक्रोवेव इंटीग्रेटेड सर्किट (MMIC) भी विकसित किए हैं। 12 नवंबर को जारी एक बयान में, यह उल्लेख किया गया था कि GaN/SiC तकनीक रक्षा, एयरोस्पेस और स्वच्छ ऊर्जा क्षेत्रों में अगली पीढ़ी के अनुप्रयोगों के लिए एक महत्वपूर्ण प्रवर्तक है। यह उन्नत तकनीक बेहतर दक्षता, कम आकार और वजन और बेहतर प्रदर्शन प्रदान करती है, जिससे यह भविष्य की लड़ाकू प्रणालियों, राडार, इलेक्ट्रॉनिक युद्ध प्रणालियों और हरित ऊर्जा समाधानों के लिए आवश्यक हो जाती है।
